Ontwikkelingsedit
ontwikkeling van 3D XPoint begon rond 2012. Intel en Micron had andere niet-vluchtige fase-verandering geheugen (PCM) technologieën eerder ontwikkeld; Mark Durcan van Micron zei 3D XPoint architectuur verschilt van eerdere aanbiedingen van PCM, en maakt gebruik van chalcogenide materialen voor zowel selector en opslag delen van geheugencel die sneller en stabieler dan traditionele PCM materialen zoals GST. Maar vandaag, het wordt beschouwd als een subset van ReRAM.
3D XPoint is aangegeven elektrische weerstand te gebruiken en BiT adresseerbaar te zijn. Overeenkomsten met het resistieve random-access geheugen in ontwikkeling door Crossbar Inc. zijn opgemerkt, maar 3D XPoint maakt gebruik van verschillende opslagfysica. In het bijzonder worden transistors vervangen door drempelschakelaars als selectors in de geheugencellen. 3D XPoint ontwikkelaars geven aan dat het is gebaseerd op veranderingen in de weerstand van het bulkmateriaal. Intel CEO Brian Krzanich reageerde op lopende vragen over de XPoint materiaal dat de omschakeling was gebaseerd op”bulk materiaal eigenschappen”. Intel heeft verklaard dat 3D XPoint geen phase-change of memristor-technologie gebruikt, hoewel dit wordt betwist door onafhankelijke reviewers.
mediaberichten melden dat sinds April 2016 geen enkele andere leverancier een werkende resistieve RAM-of fasewisselgeheugentechnologie had ontwikkeld die de prestaties en uithoudingsvermogen van 3D XPoint sampelde en matchte.begin 2015 kondigde Intel het merk Optane aan voor opslagproducten gebaseerd op 3D XPoint-technologie. Micron (met behulp van het merk QuantX) schatte het geheugen te worden verkocht voor ongeveer de helft van de prijs van dynamic random-access memory (DRAM), maar vier tot vijf keer de prijs van flash-geheugen. Aanvankelijk, een wafer fabricage faciliteit in Lehi, Utah, geëxploiteerd door IM Flash Technologies LLC (een Intel-Micron joint venture) maakte kleine hoeveelheden van 128 Gbit chips in 2015. Ze stapelen twee 64 Gbit vliegtuigen. Begin 2016 werd de massaproductie van de chips verwacht in 12 tot 18 maanden.
begin 2016 kondigde IM Flash aan dat de eerste generatie solid-state drives 95000 IOPS-doorvoer zou bereiken met 9 microseconde latentie. Deze lage latentie verhoogt IOPS aanzienlijk bij lage wachtrijdieptes voor willekeurige bewerkingen. Op het Intel Developer Forum 2016 demonstreerde Intel PCI Express (PCIe) 140 GB ontwikkelborden met een verbetering van 2,4–3× in benchmarks vergeleken met PCIe NAND flash solid-state drives (SSD ‘ s). Op 19 maart 2017 kondigde Intel hun eerste product aan: een PCIe-kaart die in de tweede helft van 2017 beschikbaar was.
ReceptionEdit
Ondanks de aanvankelijke lauw ontvangst bij de eerste vrijgegeven, 3D XPoint – met name in de vorm van de Intel Optane bereik – is zeer geprezen en alom aanbevolen voor taken waar de specifieke kenmerken zijn van waarde, met revisoren, zoals de Opslag Review conclusie in augustus 2018 dat voor een low-latency workloads, 3D XPoint was de productie van 500.000 4K aanhoudende IOPS voor zowel leest en schrijft, met 3-15 microseconde latencies, en dat op dit moment “momenteel is er niets dat in de buurt komt”, terwijl Tom ‘ s Hardware beschreef de Optane 900p in December 2017 als als een “mythisch wezen” dat moet worden gezien om te worden geloofd, en die de snelheid van de beste vorige consumentenapparaten verdubbelde. ServeTheHome concludeerde in 2017 dat in lees -, schrijf-en gemengde tests, Optane SSD ’s waren consequent rond 2,5× zo snel als de beste Intel Datacenter SSD’ s die hen had voorafgegaan, de P3700 NVMe. AnandTech merkte op dat consumer Optane gebaseerde SSD ’s qua prestaties vergelijkbaar waren met de beste niet-3D-XPoint SSD’ s voor grote overdrachten, waarbij beide “weggeblazen” werden door de grote overdrachtsprestaties van enterprise Optane SSD ‘ s.