DevelopmentEdit
rozwój 3D XPoint rozpoczął się około 2012 roku. Firma Intel i Micron opracowały wcześniej inne technologie nieulotnej pamięci zmiany fazy (PCM); Mark Durcan z firmy Micron powiedział, że architektura 3D XPoint różni się od poprzednich ofert PCM i wykorzystuje materiały chalkogenidowe zarówno do wyboru, jak i do przechowywania części pamięci, które są szybsze i bardziej stabilne niż tradycyjne materiały PCM, takie jak GST. Ale dziś jest uważany za podzbiór ReRAM.
3D XPoint został określony jako wykorzystujący rezystancję elektryczną i adresowalny bitowo. Podobieństwa do oporowej pamięci o dostępie losowym rozwijanej przez Crossbar Inc. zostały zauważone, ale 3D XPoint używa innej fizyki pamięci masowej. W szczególności tranzystory są zastępowane przez przełączniki progowe jako selektory w komórkach pamięci. Programiści 3D XPoint wskazują, że opiera się na zmianach odporności materiału sypkiego. Dyrektor generalny Intela Brian Krzanich odpowiedział na bieżące pytania dotyczące materiału XPoint, że przełączanie było oparte na”właściwościach materiałów sypkich”. Intel stwierdził, że 3D XPoint nie używa technologii phase-change ani memristor, chociaż jest to kwestionowane przez niezależnych recenzentów.
Media donosi, że od kwietnia 2016 r.żaden inny dostawca nie opracował działającej rezystancyjnej pamięci RAM lub technologii pamięci zmiany fazy, która próbkowała i pasowała do wydajności i wytrzymałości 3D XPoint.
początkowa produkcjaedit
W połowie 2015 roku Intel ogłosił markę Optane dla produktów pamięci masowej opartych na technologii 3D XPoint. Firma Micron (używająca marki QuantX) oszacowała, że pamięć ma być sprzedawana za około połowę ceny pamięci DRAM (dynamic random-access memory), ale cztery do pięciu razy więcej niż pamięć flash. Początkowo zakład produkcyjny płytek w Lehi w stanie Utah, obsługiwany przez im Flash Technologies LLC (joint venture Intel-Micron) wytwarzał niewielkie ilości chipów 128 Gbit w 2015 roku. Układają dwa samoloty o pojemności 64 Gbit. Na początku 2016 roku oczekiwano masowej produkcji chipów w ciągu 12 do 18 miesięcy.
na początku 2016 roku IM Flash ogłosił, że pierwsza generacja dysków SSD osiągnie przepustowość 95000 IOPS z opóźnieniem 9 mikrosekund. To niskie opóźnienie znacznie zwiększa IOPS przy niskich głębokościach kolejek dla operacji losowych. Podczas Intel Developer Forum 2016 firma Intel zaprezentowała karty rozwojowe PCI Express (PCIe) o pojemności 140 GB, wykazując 2,4–3-krotną poprawę w porównaniu z dyskami SSD PCIE NAND flash. 19 marca 2017 roku Intel ogłosił swój pierwszy produkt: kartę PCIe dostępną w drugiej połowie 2017 roku.
Recepcjaedit
pomimo początkowego, letniego odbioru po pierwszym wydaniu, 3D XPoint – szczególnie w postaci serii Optane firmy Intel – został wysoko oceniony i powszechnie zalecany do zadań, w których jego specyficzne funkcje są cenne, a recenzenci, tacy jak Storage Review, stwierdzili w sierpniu 2018 r., że w przypadku obciążeń o niskim opóźnieniu 3D XPoint produkował 500 000 IOPS w rozdzielczości 4K zarówno dla odczytu, jak i zapisu, z opóźnieniami 3-15 mikrosekund i obecny „nie ma obecnie nic, co jest blisko”, podczas gdy sprzęt Toma opisał Optane 900p w grudniu 2017 roku jako jak „mityczne stworzenie”, które trzeba zobaczyć, aby uwierzyć, a które podwoiły prędkość najlepszych poprzednich urządzeń konsumenckich. ServeTheHome stwierdził w 2017 r., że w testach odczytu, zapisu i mieszanych dyski SSD Optane były 2,5× szybsze od najlepszych dysków SSD Intel datacentre, które je wyprzedziły, P3700 NVMe. AnandTech zauważył, że konsumenckie dyski SSD oparte na technologii Optane są podobne pod względem wydajności do najlepszych dysków SSD innych niż 3D-XPoint do dużych transferów, przy czym oba te dyski są „zdumione” wydajnością dużych transferów dysków SSD Optane dla przedsiębiorstw.