Sviluppomodifica
Lo sviluppo di 3D XPoint è iniziato intorno al 2012. Intel e Micron avevano sviluppato altre tecnologie di memoria a cambiamento di fase non volatile (PCM) in precedenza; Mark Durcan di Micron ha detto che l’architettura 3D XPoint differisce dalle precedenti offerte di PCM e utilizza materiali calcogenidici sia per il selettore che per le parti di memoria della cella di memoria che sono più veloci e più stabili rispetto ai materiali Ma oggi, è pensato come un sottoinsieme di ReRAM.
3D XPoint è stato dichiarato di utilizzare la resistenza elettrica e di essere indirizzabile in bit. Somiglianze con la memoria ad accesso casuale resistivo in fase di sviluppo da Crossbar Inc. sono stati notati, ma 3D XPoint utilizza diversi fisica di archiviazione. In particolare, i transistor vengono sostituiti da interruttori di soglia come selettori nelle celle di memoria. Gli sviluppatori 3D XPoint indicano che si basa su cambiamenti nella resistenza del materiale sfuso. Il CEO di Intel Brian Krzanich ha risposto alle domande in corso sul materiale XPoint che la commutazione era basata su “proprietà del materiale sfuso”. Intel ha dichiarato che 3D XPoint non utilizza una tecnologia a cambiamento di fase o memristor, anche se questo è contestato da revisori indipendenti.
I media riportano che, a partire da aprile 2016, nessun altro fornitore aveva sviluppato una RAM resistiva funzionante o una tecnologia di memoria a cambiamento di fase che campionava e corrispondeva alle prestazioni e alla resistenza di 3D XPoint.
Produzione inizialemodifica
A metà del 2015, Intel ha annunciato il marchio Optane per i prodotti di storage basati sulla tecnologia 3D XPoint. Micron (usando il marchio QuantX) ha stimato che la memoria fosse venduta per circa la metà del prezzo della memoria dinamica ad accesso casuale (DRAM), ma da quattro a cinque volte il prezzo della memoria flash. Inizialmente, un impianto di fabbricazione di wafer a Lehi, Utah, gestito da IM Flash Technologies LLC (una joint venture Intel-Micron) ha realizzato piccole quantità di chip 128 Gbit nel 2015. Impilano due aerei da 64 Gbit. All’inizio del 2016 la produzione di massa dei chip era prevista tra 12 e 18 mesi.
All’inizio del 2016, IM Flash ha annunciato che la prima generazione di unità a stato solido avrebbe raggiunto un throughput di 95000 IOPS con latenza di 9 microsecondi. Questa bassa latenza aumenta significativamente IOPS a basse profondità di coda per operazioni casuali. All’Intel Developer Forum 2016, Intel ha dimostrato schede di sviluppo PCI Express (PCIe) da 140 GB che mostravano un miglioramento di 2,4–3× nei benchmark rispetto alle unità a stato solido (SSD) PCIe NAND flash. Il 19 marzo 2017, Intel ha annunciato il suo primo prodotto: una scheda PCIe disponibile nella seconda metà del 2017.
ReceptionEdit
Nonostante l’iniziale tiepida accoglienza al primo rilascio, 3D XPoint – in particolare sotto forma di Intel Optane gamma – è stato molto apprezzato e ampiamente raccomandato per le attività in cui le sue caratteristiche specifiche sono di valore, con i revisori come ad esempio la Memorizzazione di Revisione si conclude nell’agosto 2018, che per la bassa latenza carichi di lavoro, 3D XPoint è stata la produzione di 500.000 4K sostenuto IOPS di lettura e scrittura, con 3-15 microsecondo latenze, e che “attualmente non c’è nulla che si avvicina”, mentre Tom Hardware descritto il Optane 900p nel dicembre 2017 come come una “creatura mitica” che deve essere vista per essere creduta, e che ha raddoppiato la velocità dei migliori dispositivi consumer precedenti. ServeTheHome ha concluso in 2017 che nei test di lettura, scrittura e misto, gli SSD Optane erano costantemente intorno a 2.5× veloci come i migliori SSD Intel datacentre che li avevano preceduti, il P3700 NVMe. AnandTech ha osservato che gli SSD basati su Optane consumer erano simili nelle prestazioni ai migliori SSD non 3D-XPoint per trasferimenti di grandi dimensioni, con entrambi “spazzati via” dalle grandi prestazioni di trasferimento degli SSD Optane aziendali.