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El desarrollo de 3D XPoint comenzó alrededor de 2012. Intel y Micron habían desarrollado anteriormente otras tecnologías de memoria de cambio de fase (PCM) no volátiles; Mark Durcan de Micron dijo que la arquitectura 3D XPoint difiere de las ofertas anteriores de PCM, y utiliza materiales calcogenuros para partes selectoras y de almacenamiento de celdas de memoria que son más rápidas y estables que los materiales PCM tradicionales como GST. Pero hoy en día, se considera como un subconjunto de ReRAM.
Se ha indicado que 3D XPoint utiliza resistencia eléctrica y es direccionable a bits. Similitudes con la memoria resistiva de acceso aleatorio en desarrollo por Crossbar Inc. se han observado, pero 3D XPoint utiliza diferentes físicas de almacenamiento. Específicamente, los transistores son reemplazados por interruptores de umbral como selectores en las celdas de memoria. Los desarrolladores de 3D XPoint indican que se basa en cambios en la resistencia del material a granel. El CEO de Intel, Brian Krzanich, respondió a las preguntas en curso sobre el material XPoint que el cambio se basaba en las»propiedades del material a granel». Intel ha declarado que 3D XPoint no utiliza una tecnología de cambio de fase o memristores, aunque esto es disputado por revisores independientes.
Los informes de medios comentan que, a partir de abril de 2016, ningún otro proveedor había desarrollado una tecnología de memoria RAM resistiva o de cambio de fase que funcionara y que se ajustara al rendimiento y la resistencia de 3D XPoint.
Producción inicialeditar
A mediados de 2015, Intel anunció la marca Optane para productos de almacenamiento basados en la tecnología 3D XPoint. Micron (usando la marca QuantX) estimó que la memoria se vendería a la mitad del precio de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), pero de cuatro a cinco veces el precio de la memoria flash. Inicialmente, una instalación de fabricación de obleas en Lehi, Utah, operada por IM Flash Technologies LLC (una empresa conjunta Intel-Micron) fabricó pequeñas cantidades de chips de 128 Gbit en 2015. Apilan dos aviones de 64 Gbit. A principios de 2016 se esperaba la producción en masa de los chips en 12 a 18 meses.
A principios de 2016, IM Flash anunció que la primera generación de unidades de estado sólido alcanzaría un rendimiento de 95000 IOPS con una latencia de 9 microsegundos. Esta baja latencia aumenta significativamente las IOPS a bajas profundidades de cola para operaciones aleatorias. En el Intel Developer Forum 2016, Intel demostró tarjetas de desarrollo PCI Express (PCIe) de 140 GB que mostraron una mejora de 2,4 a 3× en los puntos de referencia en comparación con las unidades de estado sólido flash (SSD) NAND PCIe. El 19 de marzo de 2017, Intel anunció su primer producto: una tarjeta PCIe disponible en la segunda mitad de 2017.
ReceptionEdit
A pesar de la tibia recepción inicial cuando se lanzó por primera vez, 3D XPoint, particularmente en la forma de la gama Optane de Intel, ha sido muy aclamado y ampliamente recomendado para tareas donde sus características específicas son de valor, con revisores como Storage Review concluyendo en agosto de 2018 que para cargas de trabajo de baja latencia, 3D XPoint estaba produciendo 500,000 IOPS sostenidas 4K para lecturas y escrituras, con latencias de 3-15 microsegundos, y que en nada que se acerque», mientras que Tom’s Hardware describió el Optane 900p en diciembre de 2017 como como una «criatura mítica» que hay que ver para creer, y que duplicó la velocidad de los mejores dispositivos de consumo anteriores. ServeTheHome concluyó en 2017 que, en pruebas de lectura, escritura y mixtas, los SSD Optanos eran 2,5 veces más rápidos que los mejores SSD de centro de datos Intel que los habían precedido, el P3700 NVMe. AnandTech señaló que las unidades SSD basadas en Optanos de consumo tenían un rendimiento similar al de las mejores unidades SSD no 3D-XPoint para grandes transferencias, y que ambas estaban «impresionadas» por el gran rendimiento de transferencia de las unidades SSD Optanos empresariales.