3D XPoint

DevelopmentEdit

3D XPoint: n kehitys alkoi noin vuonna 2012. Intel ja Micron olivat aiemmin kehittäneet muita haihtumattomia vaihemuistitekniikoita (PCM); Micronin Mark Durcan sanoi 3D XPoint-arkkitehtuurin poikkeavan PCM: n aiemmista tarjonnoista ja käyttää kalkogenidimateriaaleja sekä valitsija-että muistikennon tallennusosiin, jotka ovat nopeampia ja vakaampia kuin perinteiset PCM-materiaalit, kuten GST. Nykyään sitä pidetään kuitenkin Reramin osajoukkona.

3D Xpointin on todettu käyttävän sähkövastusta ja olevan bittiosoitteinen. Yhtäläisyyksiä Resistive random-access muisti kehitteillä Crossbar Inc. on todettu, mutta 3D XPoint käyttää erilaisia varastointi fysiikka. Erityisesti transistorit korvataan kynnyskytkimillä valintoina muistisoluissa. 3D XPoint-kehittäjien mukaan se perustuu bulkkimateriaalin resistanssin muutoksiin. Intelin toimitusjohtaja Brian Krzanich vastasi jatkuviin kysymyksiin XPoint-materiaalista, että kytkentä perustui ”bulk-materiaalin ominaisuuksiin”. Intel on ilmoittanut, että 3D XPoint ei käytä vaihemuutos-tai memristor-tekniikkaa, vaikka riippumattomat arvioijat kiistävät tämän.

mediatietojen mukaan huhtikuussa 2016 mikään muu toimittaja ei ollut kehittänyt toimivaa resistiivistä RAM-muistia tai vaihemuutosmuistitekniikkaa, joka olisi samplannut ja sopinut 3D Xpointin suorituskykyyn ja kestävyyteen.

alkuperäinen tuotanto

vuoden 2015 puolivälissä Intel julkisti 3D XPoint-teknologiaan perustuvien tallennustuotteiden Optane-brändin. Micron (käyttäen QuantX-merkkiä) arvioi muistin myytävän noin puolella dynaamisen random-access-muistin (DRAM) hinnalla, mutta neljästä viiteen kertaa flash-muistin hinnalla. Alun perin IM Flash Technologies LLC: n (Intel-Micron-yhteisyritys) ylläpitämä kiekkojen valmistuslaitos Lehissä Utahissa valmisti pieniä määriä 128 Gbit-siruja vuonna 2015. He pinoavat kaksi 64 Gbit konetta. Alkuvuonna 2016 hakkeen massatuotantoa odotettiin 12-18 kuukaudessa.

vuoden 2016 alussa IM Flash ilmoitti, että ensimmäisen sukupolven solid-state-asemat saavuttaisivat 95000 IOPS: n läpimenon 9 mikrosekunnin viiveellä. Tämä alhainen latenssi lisää merkittävästi SATUNNAISOPERAATIOIDEN IOPS-arvoja alhaisilla jonosyvyyksillä. Intel Developer Forum 2016-tapahtumassa Intel esitteli PCI Express (PCIe) 140 GB: n kehitystaulut, jotka osoittivat 2,4–3× parannusta vertailuarvoissa verrattuna PCIe NAND flash solid-state drivesiin (SSD). Maaliskuuta 2017 Intel julkisti ensimmäisen tuotteensa: PCIe-kortin, joka on saatavilla vuoden 2017 jälkipuoliskolla.

ReceptionEdit

Optane 900p sekalainen luku-kirjoitusteho, verrattuna laajaan valikoimaan hyvin maineikkaita kuluttajien SSD-levyjä. Kuvaaja näyttää, kuinka perinteisen SSD: n suorituskyky laskee jyrkästi noin 500-700 MB/s kaikissa muissa paitsi lähes puhtaissa luku-ja kirjoitustehtävissä, kun taas 3D XPoint-laite on muuttumaton ja tuottaa jatkuvasti noin 2200-2400 MB/s läpimenotehoa samassa testissä. Luotto: Tomin laitteisto.

huolimatta alun haaleasta vastaanotosta, kun ensimmäinen julkaisu, 3D XPoint – erityisesti Intelin Optane – alueen muodossa-on ollut erittäin arvostettu ja laajalti suositeltu tehtäviin, joissa sen erityisominaisuudet ovat arvokkaita, ja arvostelijat, kuten Storage Review, päätyivät elokuussa 2018 siihen, että matalan latenssin työkuormille 3D XPoint tuotti 500 000 4K-pysyvää IOPS: aa sekä lukemiseen että kirjoittamiseen, 3-15 mikrosekunnin latenssilla, ja että tällä hetkellä ”tällä hetkellä ei ole mitään, joka tulee lähelle”, kun taas Tom ’ s hardware kuvaili Optane 900p: tä joulukuussa 2017 olevan kuin ”myyttinen olento”, joka on nähtävä, jotta voidaan uskoa, ja joka kaksinkertaisti nopeuden parhaat aiemmat kuluttajalaitteet. ServeTheHome totesi vuonna 2017, että luku -, kirjoitus-ja sekatesteissä Optane-SSD: t olivat jatkuvasti noin 2,5× yhtä nopeita kuin niitä edeltänyt paras Intel datacentre-SSD, p3700 NVMe. AnandTech totesi, että kuluttajien Optane-pohjaiset SSD-levyt olivat suorituskyvyltään samanlaisia kuin parhaat Ei-3D-XPoint-SSD-levyt suurille siirroille, ja molemmat ovat ”puhallettuja pois” yrityksen Optane-SSD-levyjen suuresta siirtosuorituksesta.